Kształtowanie parametrów cienkich warstw warystorowych Zn-Bi-O cd.

4. WNIOSKI

Praca miała na celu wskazanie najbardziej odpowiedniego procesu wygrzewania, na rys. 2. przedstawiono rodzinę charakterystyk prądowo napięciowych wszystkich otrzymanych próbek po ich odpowiednim wygrzaniu. Otrzymane wyniki wartości współczynnika nieliniowości w odniesieniu do temperatury i czasu wygrzewania naniesione zostały na rys. 2. Napięcie zadziałania czyli moment zmiany charakteru przewodnictwa można sterować grubością warstwy, dla zadanych wartości grubości próbki 3 napięcie zadziałania mieściło się w granicach 3 do 16 V .

Wartość współczynnika nieliniowości definiowana jako stosunek zakresu prądowego do napięciowego w obszarze przewodzenia warystora silnie zależy od temperatury wygrzewania W przypadku temperatur 8000C oraz czasu wygrzewania pomiędzy 5 min a 15 min zauważalny jest największy wzrost wartości współczynnika i zmniejszenie napięcia zadziałania Uz. Największy współczynnik otrzymano dla temperatury 700 0C i wynosił 3,15 Dla porównania badanych parametrów na rys. 5 umieszczono charakterystykę prądowo napięciową przemysłowego warystora o napięciu zadziałania 20 V i współczynniku nieliniowości =6,2 wartości te sugerują, że obrana metoda wygrzewania (700 0Cw 60min) przyszłości najprawdopodobniej da podobne efekty jak w przypadku warystora fabrycznego lub nawet jeszcze lepsze.

Autor: Marcin Mackiewicz

1. LITERATURA

[1] Tominaga K,Murayama T., Umezu N., Mori L.,Ushiro T., Nakabayashi I., Propertis of films of multilayeerd Zn):Al. and ZnO deposited by an alternating sputtering method, Thin Solid Films 1999,Nr 343-344, 160-163
[2] Miśta W., Ziaja J., Jaroszewski M., Kacprzyk R.: Infulence of reducing atmosphere an propertis of Zn-Bi-O thin film arresters, Przegląd Elektrotechniczny , APTADM2001, 377-379
[3] Mackiewicz M., Własności warystorowe cienkich warstw Zn-Bi-O, Zeszyty Naukowe AGH, 2003
[4] Ziaja J., Magnetronowa metoda otrzymywania cienkich warstw Zn-Bi-O,Postępy w Elektrotechnologii V konferencja Naukowa, Jamrozowa Polana 2003,229-232
[5] Makoto E., Yasuhiro S., Yuji T., Shuichi S.,VaiI-V characteristics of oxide semiconductors inducd by oxidizing gases, Sensors and Actuators B25-36 (1996) 62-67 , ELSEVIER
[6] Hozer L., Półprzewodnikowe materially ceramiczne z aktywnymi granicami ziarn. PWN Warszawa 1990

Praca jest kontynuacją i rozszerzeniem badań prowadzonych w ramach grantu 4 T10A 078 22.