Optymalizacja podłoży z warstwą porowatego dwutlenku krzemu diosd dla metody spektrometrii masowej time-of-flight

Abstract

Zaprezentowano prace nad poprawą właściwości podłoży krzemowych z warstwami porowatego dwutlenku krzemu przeznaczonych do stosowania w spektrometrii masowej z pomiarem czasu przelotu (TOF). Opracowano stanowisko do strukturyzacji warstw porowatych. Zoptymalizowano procedurę technologiczną podłoży krzemowych z porowatym dwutlenkiem krzemu. Przeprowadzono badania kalocholaminy, uzyskując widmo masowe z zakresu poniżej 180 Da.
Autor: Jakub WĘGRZYN

1. WPROWADZENIE

Metoda spektrometrii masowej TOF (Time Of Flight) została uznana za bardzo wydajne narzędzie dla analiz biomolekuł [1], ze względu na czułość sięgającą femtomoli (10-15). Zwykle badany materiał musi być nanoszony na podłoże wraz z tzw. matrycą (metoda MALDI – Matrix Assisted Laser Desorption-Ionization). Matryca – substancja, najczęściej kwasy organiczne, absorbująca promieniowanie ultrafioletowe, ma za zadanie ułatwić desorpcję i jonizację badanego materiału. Wadą stosowania matrycy, jest interferencja jej widma masowego, z widmem badanej substancji (dla mas cząsteczkowych poniżej 3000 Da). Dlatego rozpoczęto badania nad opracowaniem specjalnych podłoży nie wymagających obecności matrycy (Matrix-Less Laser Desorption-Ionization). Pierwsze prace nad takimi podłożami zostały przeprowadzone i opublikowane przez zespół Wei’ego, Buriaka, Siuzdaka [2-5]. W pracach tych, zostały przedstawione podłoża krzemowe DIOS (Desorption Ionization On Silicon) z warstwą porowatego krzemu przeznaczone do badań próbek biochemicznych o masach poniżej kilkuset Da. W pracach prowadzonych na Politechnice Wrocławskiej w latach 2000/2001 podjęto podobne prace i opracowano nowy typ podłoży wykorzystując warstwę dwutlenku krzemu porowatego DIOSD (Desorption Ionization On Silicon Dioxide) [6-9]. Testy potwierdziły bardzo dobre właściwości analityczne takich podłoży. Głównym celem tej pracy było rozwinięcie i optymalizacja procesu wytwarzania warstw porowatego SiO2 dla podłoży typu DIOSD.