Wyznaczanie charakterystyk statycznych diod schottky’ego w programie spice cd.

4. UWAGI KOŃCOWE

W pracy omówiono i dokonano oceny przydatności algorytmów estymacyjnych wartości parametrów wbudowanego modelu diody w programie SPICE, opisujących charakterystyki statyczne diod Schottky’ego. Jak pokazano, algorytm bezpośredni wymaga dużego nakładu obliczeń i jest czasochłonny, a wartości parametrów opisujących charakterystyki wsteczne określa się na podstawie wykonanych pomiarów. Z kolei procedury estymacyjne programu PARTS wyznaczają wartości parametrów modelu o dokładności zależnej od zakresu wejściowych danych pomiarowych. Rozważany w pracy model diody, w odniesieniu do diody Schottky’ego, umożliwia poprawne zamodelowanie charakterystyk statycznych.

Autor: Jacek Dąbrowski

LITERATURA

[1] SHUR M., Introduction to Electronic Devices., John Wiley & Sons Inc., 1996.
[2] BENDA V., GOWAR J., GRANT D.A., Power Semiconductor Devices – Theory and Applications., John Wiley & Sons Ltd., 1999.
[3] HERFURTH M., KAPELS H., RUPP R., ZVEREV I., Silicon Carbide Schottky: Novel Devices Require Novel Design Rules., PCIM 2002.
[4] PSpice Reference Guide., Product Version 10.0, June 2003, pp. 146-151.
[5] CHEUNG N.W., CHEUNG S.K., Extraction of Schottky Diode Parameters from Forward
Current-Voltage Characteristics., Appl. Phys. Lett., 49 (2), July 1986, pp. 85-87.
[6] KOLENDO A., SOCHACKI M., SZMIDT J., WERBOWY A., Parametry diod Schottky’ego Pt/4H-SiC., Krajowa Konferencja Elektroniki, Kołobrzeg 2002, s. 759-764.
[7] SAXENA V., STECKL J.A., SU J.N., High-Voltage Ni- and Pt-SiC Schottky Diodes Utilizing Metal Field Plate Termination., IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 46, No. 3, March 1999, pp. 456-464.
[8] KRóL A., MOCZKO J., Sposób wyznaczania parametrów modelu diody za pomocą programu PARTS z pakietu PSpice-DesignLAB., Elektronika, nr 9, 1999, s. 17-20.